SI2356DS-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI2356DS-T1-GE3
|
|
حجم فایل
|
85.461
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI2356DS-T1-GE3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
960mW;1.7W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
13nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
370pF@20V
-
Continuous Drain Current (Id):
4.3A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
51mΩ@10V,3.2A
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
